双层PECVD氮化硅膜晶体硅太阳电池
利用管式PECVD在太阳电池片上沉积双层折射率和厚度均不同的SiNχ：H薄膜。这种双层SiNχ:H薄膜是采用两个不同的硅烷氨气流量比在一次沉积过程中获得的，其第一子层(靠近硅片)具有较高的折射率和较小的厚度，而第二子层具有较低的折射率和较大的厚度。椭圆偏振测厚仪、微波光电导衰退(μ-PCD)以及I-V特性等的测试结果表明，这种折射率变化的双层SiNχ：H薄膜，相比折射率单一的单层SiNχ：H薄膜，具有更好的表面钝化效果，其所钝化的单晶硅太阳电池，光电转换效率可以绝对提高O.2％以上，而且在1个月内没有发生明显衰减。
硅太阳电池 氮化硅膜晶体 双层折射率 光电转换效率
屈盛 毛和璜 韩增华 汤叶华 周春兰 王文静 张兴旺
欧贝黎新能源科技股份有限公司,江苏 南通 226611 中国科学院电工研究所,北京 100190 中国科学院半导体研究所,北京 100083
国内会议
南京
中文
76-80
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）