硅烷氨气比对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

摘要：

利用PECVD在硅片上沉积SiNχ：H薄膜，研究SiH4 NH。流量比对SiNχ：H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪的测试结果表明，硅烷氨气流量比(SAR)在0.09～0.38以内沉积的所有薄膜都呈现出富硅的组分，而且随着SAR的逐渐增加，Si的含量逐渐增加，折射率逐渐增大。微波光电导衰退(μ-PCD)的测试结果表明，Si含量适中(也即折射率适中)的薄膜，相比Si含量过低或过高的薄膜，呈现出更为稳定的钝化效果。

关键词： 硅太阳电池 氮化硅薄膜 硅烷氨气比

作者: 屈盛 曹晓宁 毛和璜 韩增华 周春兰 王文静 张兴旺

作者单位: 欧贝黎新能源科技股份有限公司,江苏 南通 226611 中国科学院电工研究所,北京 100190 中国科学院半导体研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 81-83

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）