太阳能用晶体硅中铁杂质及其磷吸杂研究
(0) 本文采用不同热处理温度(700～1 000℃)引入不同浓度的铁杂质，观察了引铁温度对p型单晶硅(无位错和有位错)有效寿命的影响，并比较了磷吸杂工艺对铁沾污的单晶硅和多晶硅的吸杂效果。随着引铁温度的升高，晶体硅有效寿命快速下降，其中有位错单晶硅有效寿命最低。对不同引铁温度的样品在500℃保温90 min，寿命都有所升高。经900℃/0.5 h+700℃/1.5 h变温吸杂，单晶硅和多晶硅的寿命都有所升高。由于多晶硅中存在各种缺陷，如位错、晶界等，单晶硅的吸杂效果要好于多晶硅。
硅太阳能电池 铁杂质 磷吸杂工艺 单晶硅
朱笑东 杨德仁 余学功 李晓强 陈金学
浙江大学材料科学与工程,硅材料国家重点实验室,杭州 310027
国内会议
南京
中文
97-100
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）