太阳电池用单晶硅片一次缺陷及二次缺陷浅谈

摘要：

本文分析和讨论了单晶硅片一次缺陷和二次缺陷对太阳单晶硅电池片/组件的影响。一次缺陷主要指拉单晶过程中残存的热应力、位错、漩涡缺陷等。残存的热应力、位错会影响电池的机械性能，而漩涡缺陷导致组件表面在PL测试中形成环状热区。二次缺陷主要是电池工艺中升降温速率、不同含银量的浆料对硅片性能的影响。本文就上述缺陷进行了讨论，并对降低上述缺陷提出建议。

关键词： 太阳能电池 单晶硅片 漩涡缺陷 热应力 机械性能

作者: 孙世龙 曹小平 张光春 施正荣 汪义川 马丽雯 张凤亭 蒋仙 许朝民 周晔如 黄海涛 葛剑

作者单位: 无锡尚德太阳能电力有限公司,214028

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 166-169

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）