EWT硅太阳电池背面pn区域界定的几种实现方法
隐蔽型发射极穿孔(EWT)硅太阳电池以其独特的器件结构、较低的成本及较高的电池效率而备受光伏市场的关注。实现EWT硅太阳电池的关键技术是背面pn区域的界定。本文概述了激光刻槽法、丝网印刷法、二次扩散法及化学镀敷法等目前国际上研究较多的几种实现背面pn区域界定的方法，对其实现原理、制造技术及发展概况做了系统介绍和比较，并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。
硅太阳电池 PN区域界定 激光刻槽 丝网印刷 化学镀敷 电池效率
赵恒利 涂洁磊 姚丽 李雷 李光明 何京鸿 张树明
云南师范大学太阳能研究所 教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室 云南省农村能源工程重点实验室云南省昆明市一二.一大街298号 650092
国内会议
南京
中文
232-235
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）