磷吸杂对多晶硅片性能的影响
磷吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段，本文比较了三种磷吸杂工艺对两种质量硅片的体寿命变化，及其电池性能的影响。实验结果表明，对于不同质量的硅片，磷吸杂后较差片源的体寿命加了28.5μs，是好硅片吸杂后寿命增加幅度的两倍。对于质量较差的硅片，磷吸杂对大晶粒硅片影响较大;电池片的LBIC测试图显示，吸杂后大晶粒硅片的长波响应优于小晶粒硅片;IV测试结果显示，不管怎样扩散吸杂，都不能提高硅片的效率。
硅太阳能电池 多晶硅片性能 金属杂质 磷吸杂工艺
朱敏杰 崔美丽 马跃 王景霄 陈文浚
江苏林洋新能源,启东 226200
国内会议
南京
中文
261-264
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）