正极银浆对高方阻浅结单晶硅太阳电池的影响
用新型正极银浆A和常规商业化银浆B匹配高方阻浅结，结果表明0.1太阳下n值，对相同方阻而言，A银浆可以获得更好的欧姆接触、更优的结特性。对于不同方阻，采用B银浆高方阻在0.1太阳下n值比B银浆常规方阻电池高0.3以上，这导致电池填充因子绝对值下降接近1％;采用A银浆后，高方阻电池0.1太阳下的n值明显改善。I-V结果表明A银浆配合高方阻发射结(<0.3μm)，相对B银浆配合常规方阻发射结转换效率可以提高绝对值0.2％以上。以上表明正极浆料对单晶硅太阳电池硅片，尤其是高方阻浅结单晶硅太阳电池的制作中是非常关键的。
硅太阳能电池 正极银浆 填充因子 转换效率
朱敏杰 夏正月 马跃 陈文浚 王景霄
江苏林洋新能源,启东 226200
国内会议
南京
中文
269-271
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）