铸锭多晶硅底部低少子寿命区域的研究
利用μ-PCD(微波光电导)少子寿命测试仪对铸锭多晶硅底部区域20～35 mm的少子寿命进行研究。结果显示：对于初生硅块，硅块底部存在35 mm的红边区(少子寿命<2μs)，通过650℃退火30 min，硅块底部的红边区减少至20 mm。多晶硅底部20～35 mm区域初生硅片的少子寿命在O.8～1.4μs之间，通过650℃退火30 min，少子寿命增加至1-5～1.7μs。底部区域少子寿命偏低的原因与表面的复合速率有着直接的关系，与硅片的真实体少子寿命无关。后续电池片的数据表明，该区域的电池效率和光衰减均在合格标准内，完全可以用于生产。
硅太阳能电池 表面复合速率 电池效率 少子寿命
刘林艳 胡动力 程小娟 游达
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司,江西 新余 338032
国内会议
南京
中文
282-284
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）