光诱导电镀选择性发射极多晶硅太阳电池花片原因及改善

摘要：

作为制备选择性发射极太阳电池的主流技术之一，自对准的光诱导电镀技术以其不受栅线宽度限制的优点，越来越受到太阳电池产业界的重视。然而，应用这种技术之前，需要在电镀区域去除SiO2，在非电镀区域保留SiNχ：H掩模，否则就会出现花片现象。花片增大了遮光面积，影响了电池性能，是光诱导电镀普遍存在的技术难题。本文分析了HF刻蚀SiO2和SiNχ：H的机理，从键能角度研究了选择性刻蚀的可行性。通过添加适量的NH4F，我们使用BOE溶液改善了多晶硅太阳电池花片现象。

关键词： 光诱导电镀 选择性发射极 硅太阳电池 花片现象

作者: 李涛 周春兰 宋洋 郜志华 段野 王文静

作者单位: 中国科学院电工研究所,中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,北京 100190 中轻太阳能电池有限责任公司,北京 101111

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 289-294

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）