晶体硅太阳能电池PECVD工艺研究
采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及其钝化效果的影响,从而更好的指导及控制太阳能电池的镀膜过程,得到最佳的镀膜工艺。
硅太阳能电池 氮化硅 镀膜工艺 PECVD法
刘志平 赵谡玲 徐征 刘金虎 李栋才
北京交通大学太阳能研究所,北京 100044 北京中联科伟达技术股份有限公司,北京 100044 北京交通大学太阳能研究所,北京 100044
国内会议
南京
中文
329-334
2010-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)