晶体硅太阳能电池PECVD工艺研究

摘要：

采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜，通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及其钝化效果的影响，从而更好的指导及控制太阳能电池的镀膜过程，得到最佳的镀膜工艺。

关键词： 硅太阳能电池 氮化硅 镀膜工艺 PECVD法

作者: 刘志平 赵谡玲 徐征 刘金虎 李栋才

作者单位: 北京交通大学太阳能研究所,北京 100044 北京中联科伟达技术股份有限公司,北京 100044 北京交通大学太阳能研究所,北京 100044

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 329-334

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）