微晶硅薄膜甚高频高速沉积初期的生长控制

摘要：

采用拉曼光谱、椭圆偏振光谱和原子力显微镜分析了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)微晶硅(μc-si：H)薄膜的初期生长特性。研究发现在生长初期，由于硅烷的逆扩散和玻璃表面的非晶诱导作用使得在薄膜和玻璃界面产生一层非晶孵化层;且随着气压或沉积速率的增大，孵化层的厚度增加，采用滞后SiH4注入法和梯度法可有效的抑制孵化层的形成，并获得不同的初始晶化率。

关键词： 非晶孵化层 微晶硅薄膜 高速沉积 生长控制

作者: 陈永生 杨仕娥 谷锦华 郜小勇 卢景霄 王英君

作者单位: 郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州 450052

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 379-382

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）