p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响

摘要：

研究了p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响。微晶硅(μc-si)太阳能电池采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备。实验结果表明氢稀释比越高，温度越低，沉积的p层膜光学带隙越大。将不同带隙p层应用于微晶硅电池，我们发现p层带隙过大将增加i/p界面处的能带失配，导致较多的缺陷态，影响内建场的分布同时限制开路电压(Voc)，而p层带隙较小时，将降低电池的内建电势，同样影响Voc增加。因而优化p层带隙将有利于提高电池的性能。

关键词： 硅太阳能电池 化学气相沉积 p层带隙 电池性能

作者: 刘石勇 曾湘波 彭文博 姚文杰 谢小兵 王超 王占国

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 383-387

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）