界面相对微晶硅太阳电池性能影响的研究
(0) 本文研究了界面相对氢化微晶硅太阳电池性能的影响。氢化微晶硅薄膜由等离子体增强化学气相沉积系统制备。薄膜界面相由红外吸收谱所得的界面结构因子(Rif)表征。薄膜的晶相体积比，复合中心密度，陷阱能级密度和迁移率寿命乘积分别用拉曼光谱、光电导谱、调制光电流相移分析以及定态光电导等方法来表征。我们发现：①材料的缺陷态密度与界面结构因子正相关;②界面结构因子最小的样品具有最大的迁移率寿命乘积。优化沉积条件得到界面因子较小的薄膜，并将其作为本征层应用于微晶硅太阳电池，I-V和QE测试结果表明该微晶硅太阳电池拥有较大的开路电压和较好的长波响应。
硅太阳能电池 电池性能 化学气相沉积
彭文博 曾湘波 刘石勇 姚文杰 谢小兵 肖海波 王超 俞育德
中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083
国内会议
南京
中文
393-397
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）