射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究
采用射频(RF)激发,在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元,测量了RF激发HWCVD(RF-HWCVD)的光发射谱,比较了相同工艺条件下RF-HWCVD和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的光发射谱,分析了热丝温度和沉积气压对RF-HWCVD光发射谱的影响。结果表明,在比较低的射频功率下,RF-HWCVD发射光谱反映了HWCVD特点,能够解释气压变化与微晶硅薄膜微结构的关系,是研究HWCVD气相过程的有效方法之一。
微晶硅薄膜 化学气相沉积 光发射谱 射频激发 硅太阳能电池
李天微 刘丰珍 朱美芳
中国科学院研究生院材料科学与光电技术学院,北京 100049
国内会议
南京
中文
428-432
2010-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)