不同氢气分压下氢化非晶硅薄膜的制备与表征
在不同的氢气分压下，用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积了氢化非晶硅(a-si：H)薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、显微拉曼光谱仪(Raman)、NKD7000w薄膜分析仪、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和紫外-可见光透射光谱仪(UV-VIS)研究了氢气分压对薄膜的物相结构、膜厚(沉积速率)和光学性能的影响。结果表明，可以用磁控溅射方法沉积非晶态结构的氢化硅薄膜，a-Si：H薄膜有良好的可见光透过率;氢与硅结合生成单氢键合和多氢键合;a-Si：H薄膜的沉积速率大于10nm/min;随着氢气分压的增加，溅射沉积薄膜的速率减小、折射率减小，吸收系数和消光系数减小，光学带隙逐渐增加(1.9～2.0eV)。对得到的结果进行了讨论。
磁控溅射 非晶硅薄膜 氢气分压 沉积速率 光学性能
赵青南 董玉红 袁文辉 潘震 刘本峰
武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司,宿迁市宿豫区珠江路102号 223800
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2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）