利用四极杆质谱监测硅薄膜沉积过程中的硅烷利用率
为提高硅薄膜沉积过程中的硅烷利用率,我们利用四极杆质谱对高压高功率法沉积硅薄膜过程中硅烷分压进行了监测。研究了硅烷分解率与硅烷浓度、辉光功率以及反应气压关系。结果表明:硅烷浓度增加时硅烷的分解率下降;适当的增加功率可提高硅烷分解,当功率超过一定值时,由于系统功率损耗部分的增加,使得硅烷分解率达到饱和;反应气压增加时,硅烷分解率先降低后增加,这与气压变化对电极电压的影响有关。该规律的获得为指导如何尽可能提高硅烷气体的利用率提供了很好的数据基础。
硅薄膜 沉积过程 四极杆质谱 硅烷利用率 硅太阳能电池
许盛之 张晓丹 李杨 任慧志 魏长春 熊绍珍 赵庚申 赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071
国内会议
南京
中文
443-446
2010-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)