反应气体流量对大面积p型微晶硅窗口层材料性能的影响
本文采用高压VHF-PECVD技术，通过改变反应气体流量的方法沉积了一系列大面积(平方米级)p型微晶硅窗口层材料，测试其厚度不均匀性、生长速率、暗电导率及微结构。p型微晶硅窗口层的厚度不均匀性随着气体流量的增加而增大，平均生长速率随着气体流量的增加而提高，材料的平均晶化率随着气体流量的增加而降低，平均暗电导率随气体流量的增加而减小。在薄膜厚度为32nm时，获得了最大平均暗电导率0.85S/cm、厚度不均匀性±4.9％、最大平均晶化率62％的高质量p型微晶硅窗口层材料。
p型微晶硅 气体流量 生长速率 材料性能 暗电导率
任慧志 赵颖 张晓丹 许盛之 王宗畔 段苓伟 葛洪
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071 福建钧石能源有限公司天津分公司,天津 300381
国内会议
南京
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532-535
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）