MOCVD-ZnO中间层在非晶硅/微晶硅叠层电池中的应用
非晶硅/微晶硅叠层电池已经成为硅薄膜太阳电池产业化关注的热点，但由于非晶硅电池存在光致衰退效应，提高非晶硅/微晶硅叠层电池的稳定性就显得尤为重要，而位于非晶硅顶电池和微晶硅底电池之间的中间层对提高非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的效率和稳定性有一定作用。本文基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术具有工艺简单和沉积温度低的特点，采用了MOCVD-ZnO作为中间层。通过工艺调控制备了不同掺杂浓度的ZnO材料应用于非晶硅/微晶硅叠层电池中，电池结构为：Glass/SnO2：F/p-a-siC：H/i-a-Si：H/n-a-Si：H-μc-Si：H/ZnO：B/p-μc-Si：H/i-μc-Si：H/n-a-Si：H/Al。研究了不同特性ZnO材料作为中间层对叠层电池性能的影响。
微晶硅叠层电池 中间层 化学气相沉积 沉积温度 电池结构
樊正海 张晓丹 张鹤 林泉 陈新亮 魏长春 孙建 赵颖 耿新华
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071
国内会议
南京
中文
576-579
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）