功率梯度法制备微晶硅锗太阳电池
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)技术，采用适当比例的硅烷、锗烷、氢气作为反应气源，在衬底温度为200℃条件下制备微晶硅锗薄膜。首先研究了辉光功率对微晶硅锗薄膜材料结构特征和光电特性的影响。结果表明。由于锗烷的优先耗尽，随着功率的增加，微晶硅锗薄膜中的锗含量有不断降低的趋势。在此基础上，引入功率梯度的方法用于微晶硅锗本征层的制备，在沉积本征层的过程中分阶段降低功率。不仅优化了微晶硅锗材料晶化状况的纵向均匀性，而且使微晶硅锗电池本征层的带隙得到调控，减少了p/i界面带隙失配的影响。将此方法应用到微晶硅锗太阳电池中，电池性能一定程度上得到了改善，将其应用于非晶硅/微晶硅锗叠层电池，转换效率达到7.7％。
微晶硅锗 辉光功率 带隙调节 太阳能电池 功率梯度法
曹宇 张建军 倪牮 王先宝 黄振华 孙健 耿新华 赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071
国内会议
南京
中文
600-603
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）