n型晶体硅/p型非晶硅异质结太阳电池的研制

摘要：

研究了不同的硅片表面钝化方法，分析了硅片表面的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3mm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命，从而提高HIT太阳电池的开路电压。同时发现，在硅片背面引入重掺杂背场提高了HIT太阳电池的长波段光谱响应和开路电压。对制备工艺综合优化后，得到了光电转换效率为16.75％(Voc=0.596 V，Jsc=41.605 mA/cm2，FF=0.676，AM1.5，25℃)的HIT太阳电池。

关键词： 太阳能电池 表面钝化 n型晶体硅 非晶硅异质结 光电转换率

作者: 柳琴 叶晓军 刘成 李红波 陈鸣波

作者单位: 上海空间电源研究所,上海 200233 上海太阳能工程技术研究中心有限公司,上海 200241

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国光伏大会暨展览会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 614-617

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）