热处理对ZnO:Ga薄膜性能的影响
本文采用直流磁控溅射工艺制备ZnO:Ga薄膜,并对薄膜进行热处理。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计等对热处理前后薄膜的晶体结构和光学性能进行研究。结果表明:ZnO:Ga薄膜在热处理后其晶体结构得到明显改善即(002)衍射峰强度增加,半高宽减小,晶化程度提高;在可见先范围内平均透过率由退火前的74%提高到82%以上。并将其应用到非晶硅太阳电池上,发现退火后电池的转换效率提高了1.02%。
磁控溅射 热处理 太阳能电池 Ga薄膜性能 晶体结构 光学性能
宋玲彦 陈贵峰 万尾甜 蔡宏琨 谢轲 张德贤
河北工业大学材料物理与化学专业,天津 300130 南开大学信息技术科学学院电子科学技术系,天津 300071
国内会议
南京
中文
651-654
2010-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)