X射线光电子谱方法研究CdTe/CdS异质结界面
CdTe/CdS异质结是CdTe电池光电转换的核心部分。X射线光电子谱(XPS)是研究材料界面成分分布、能带结构的有力工具。我们使用化学水浴的方法在FTO薄膜上制备CdS膜，使用密闭空间升华的方法制备CdTe膜，对CdTe/CdS异质结进行CdCl2退火处理。采用Ar离子深度方向刻蚀，XPS测量的方法，分析CdTe/CdS界面。通过对退火前和退火后CdTe/CdS界面处S、Te的内层电子谱图的分析，得到CdTe/CdS界面成分分布和能带结构的信息。我们发现，退火后CdS和CdTe相互扩散加强，减少了界面晶格失配造成的缺陷，CdTe侧能带弯曲，从而获得更高的异质结自建势，因此CdCl2退火处理有利于制备高效的CdTe太阳能电池。
薄膜太阳能电池 光电转换 X射线光电子谱 FTO薄膜 CdS异质结
韩俊峰 廖成 江涛 谢华木 焦飞 陆真冀 赵夔
北京大学核物理与核技术国家重点实验室,北京 100871
国内会议
南京
中文
670-673
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）