掺杂对CdS多晶薄膜电学性能影响
利用近空间升华法制备CdS多晶薄膜，同时将薄膜在400℃进行Cl-掺杂。利用光-电阻、暗电阻-温度关系等测试手段分析不同波长光照及温度对掺杂前后薄膜电学性能的影响。结果显示：在不同波长的光照下，薄膜显示出不同的电阻值，最小电阻出现在500 nm波长光附近;在光、暗态转换过程中发现，掺杂对电阻弛豫时间影响较大，掺杂后最短响应时间由原来对应的青光向蓝光移动;掺杂后，薄膜光、暗电导增加，电导激活能(Ea)减少。
CdS多晶薄膜 太阳能电池 电学性能
曾广根 冯良桓 蔡亚平 黎兵 郑家贵 李卫 武莉莉 雷智 张静全
四川大学太阳能材料与器件研究所,成都 610064
国内会议
南京
中文
731-734
2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）