THz波段并联电容式MEMS开关的研究

摘要：

本文针对工作在0.5THz频率下的并联电容式MEMS开关设计进行了深入探讨。结合理论分析和HFSS软件仿真，讨论了MEMS开关在0.5THz频率下的电磁特性，仿真π型并联电容式MEMS开关，最终在该频率下得到了隔离度优于-17.5dB，插损优于3.8dB的仿真结果。

关键词： 电磁特性 并联电容式开关 隔离度 微机电系统

作者: 于姗姗 刘埇

作者单位: 北京理工大学信息与电子学院 北京 100081

会议类型: 国内会议

会议名称: ANSYS2010中国用户大会

会议地点: 上海·西安·北京

会议语种:中文

页码: 12-16

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）