半导体纳米线的原位应变研究

摘要：

利用原位电子显微方法对半导体纳米线进行了原位应变研究，结果表明：在轴向压应力的作用下，ZnSe纳米线可以发生明显的塑性形变，导致纳米线发生大应变。通过在纳米尺度上控制压力探针位移的精度，可实现对纳米线应变的准确控制，进而达到纳米线应变量的可设计性和可控制性。

关键词： 半导体纳米线 电子显微 原位应变

作者: 王岩国

作者单位: 中国科学院物理研究所，北京中关村南三路八号，100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六次华北五省市电子显微学研讨会及第八届全国实验室协作服务交流会

会议地点: 张家界

会议语种:中文

页码: 39-44

在线出版日期: 2010-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）