硅基半导体器件性能的可控分子改性

摘要：

为解决伴随硅基半导体器件小型化和微型化而出现的由难掺杂和掺杂不均引起的器件性能不稳等难题提供理论和实验依据，不断提高芯片上MOSFET的密度和其处理能力，进而延长传统CM0S半导体工业的寿命。本文对硅基半导体器件性能的可控分子进行了改性。

关键词： 硅基半导体器件 可控分子改性 掺杂不均 MOSFET CM0S

作者: 贺涛

作者单位: 国家纳米科学中心 北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 83-84

在线出版日期: 2010-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）