纳米ZnO与稀土离子共掺SiO2薄膜的制备与荧光增强效应
半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域,其中,氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料,禁带宽度3.37eV,其在390nm处有很强的荧光发射。本文研究了利用化学方法合成纳米ZnO颗粒,并将其与稀土Eu3+离子共掺于SiO2薄膜中,研究了ZnO的尺寸与浓度对稀土发光的作用和影响,观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能量共振传递所引起的荧光增强效应。
半导体氧化物 纳米氧化锌 稀土离子共掺 SiO2薄膜 稀土发光 荧光增强
林涛 王云姬 徐骏 万能 徐岭 陈坤基
南京大学物理学院和电子科学与工程学院,南京微结构国家实验室,南京 210093 南京大学物理学院和电科学与工程学院,南京微结构国家实验室,南京 210093
国内会议
厦门
中文
96-97
2010-05-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)