椭偏光谱法表征单层nc-Si薄膜中晶粒的高度和体积比

摘要：

nc-Si材料在光电子领域、微纳电子学领域具有广泛的应用前景。含有nc-Si的薄膜的表征通常采用透射电镜(TEM)截面制样的方法，不仅测试样品制备方法复杂，而且测试周期较长。本文介绍了椭偏光谱法表征单层nc-Si薄膜中晶粒的高度和体积比。

关键词： 单层nc-Si薄膜 椭偏光谱法表征 晶粒高度 体积比

作者: 方忠慧 张贤高 陈坤基 马忠元 江小帆 黄信凡

作者单位: 固体微结构物理国家重点实验室,南大学物理系,江苏南京 210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 180-182

在线出版日期: 2010-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）