基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法.与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗.由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响.另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献.设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果.
脉冲功率 高电压 半导体开关 Marx发生器 金属氧化物 半导体场效应管
刁文豪 江伟华 王新新
清华大学,电机工程与电子应用技术系,北京,100084
国内会议
芜湖
中文
565-568
2009-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）