大功率光导开关研究
设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关和SiC光导开关.在不同的直流偏置电压下,使用波长为1 064 nm的激光脉冲触发使开关导通,研究了非本征光电导方式下GaAs光导开关和SiC光导开关的光电导特性.实验中获得了GaAs光导开关的暗态伏安曲线和200～1 100 nm波长范围内吸收深度随波长的变化曲线,得到了大功率GaAs光导开关在线性模式和非线性模式下的电流波形,并进行了比较,讨论了非线性模式下大功率GaAs光导开关的奇特光电导现象.对非本征光电导方式下的SiC光导开关进行了初步实验研究,得到了偏置电压3.6 kV下开关的电压和电流波形.
大功率 光导开关 半绝缘砷化镓 碳化硅 光电导特性 激光脉冲触发
袁建强 李洪涛 刘宏伟 刘金锋 谢卫平 王新新 江伟华
中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900 清华大学,电机系,北京,100084
国内会议
芜湖
中文
791-794
2009-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）