大功率GaAs光导开关寿命实验研究

摘要：

设计并制作了18 mm间隙的半绝缘GaAs光导开关,开关芯片采用标准半导体工艺制作并封装在陶瓷基板上.测试了光导开关在20 kV工作电压、1 kA工作电流时,不同重复频率工作的开关寿命,结果表明,开关寿命4 000次～7 000次,且随着重复频率的提高,开关寿命有所降低.初步分析了导致开关失效的原因为热损伤,包括局部发热导致的连接损伤和材料损伤以及整体发热导致的暗态电阻下降.

关键词： 半绝缘砷化镓 光导开关 开关寿命 大功率 材料损伤

作者: 刘宏伟 袁建强 刘金锋 李洪涛 谢卫平 江伟华

作者单位: 中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900 中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900;清华大学,电机系,北京,100084 清华大学,电机系,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届全国脉冲功率会议

会议地点: 芜湖

会议语种:中文

页码: 795-798

在线出版日期: 2009-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）