快脉冲大尺寸非晶态磁芯研究进展
通过对带绕非晶态软磁合金磁芯片间绝缘技术的几种方法、磁场热处理技术以及绝缘封装技术的研究,实现了非晶态磁芯片间0.6～1.0 μm厚 SiO_2绝缘涂层以及片间击穿电压不低于120 V直流;非晶态磁芯纵磁热处理剩磁比大于0.90,横磁热处理剩磁比小于0.20,且绝缘封装前后磁芯磁性能变化小于5％.通过对快脉冲条件下带绝缘涂层大尺寸带绕非晶态软磁合金磁芯的研究,测试获得了试验磁芯的脉冲磁导率以及磁通跳变,其中1 000 mm级铁基非晶磁芯在脉冲间隔500 ns、脉冲宽度120 ns三脉冲串条件下,磁通跳变达到了2.86 T.
快脉冲 非晶态软磁合金 绝缘涂层 磁感应强度 磁通跳变
王发厚 石金水 陈思富 夏连胜 林曦
零八一电子集团,四川力源电子有限公司,四川,广元,628017 中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900
国内会议
芜湖
中文
829-833
2009-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）