纳米网状硫铟锌三元化合物光电薄膜材料的原位制备及性能研究

摘要：

采用溶剂热法在ITO导电玻璃基底上成功地原位制备出了由纳米薄片(20～30nm厚)组成的网状ZnIn2S4三元化合物光电薄膜材料，网状薄膜材料的孔隙度在100～400nm之间。制备的薄膜材料的吸收边在520 nm，由此推算出其带隙能为2.57eV。

关键词： 溶剂热法 光电薄膜 原位制备 三元化合物 纳米薄片

作者: 贾会敏 何伟伟 雷岩 陈雪武 高远浩 郑直

作者单位: 许昌学院表面微纳米材料研究所,河南 许昌 461000 许昌学院 化学化工学院,河南 许昌 461000

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国太阳能光化学与光催化学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 409-410

在线出版日期: 2010-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）