宽禁带半导体电力电子器件前景展望

摘要：

Si基半导体器件的性能参数已经接近理论极限,不可能再有很大的发展。宽禁带半导体电力电子器件的关键技术参数(工作电压、电流密度、工作温度和开关速度)比Si器件有突破性的提高,已经进入商业化应用阶段,具有十分广阔的发展前景。加强宽禁带半导体电力电子器件的研发,尽早实现产业化,发挥其节能减排的社会效益,对于国家的可持续发展、国防安全和国际地位都具有重要意义。

关键词： 宽禁带 电力电子器件 碳化硅 氮化镓 半导体器件

作者: 高勇

作者单位: 西安卫光科技有限公司,西安 710065

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国半导体器件技术研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 59-61

在线出版日期: 2010-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）