一种1200V平面快恢复二极管终端结构的设计

摘要：

主要通过对场板和场限环结构的理论分析,总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素,提出采用场限环和场板的组合设计,可大大降低环间距、氧化层厚度及氧化层电荷对击穿电压的影响、简化工艺,获得最佳的耐压效果。利用二维器件模拟软件Medici模拟具有1200V高压阻断能力的平面快恢复二极管(FRD),最后通过实际流片验证此终端结构具有良好的电压重复性及一致性。对功率器件终端结构的设计具有一定借鉴意义。

关键词： 击穿电压 平面终端结构 场限环 优化设计 组合设计

作者: 殷丽 王传敏

作者单位: 北京微电子技术研究所,北京 100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国半导体器件技术研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 74-78

在线出版日期: 2010-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）