LEC法生长大尺寸InP单晶

摘要：

基于目前对大尺寸InP单晶片的应用和需求,介绍了正在使用的封闭式热场结构,阐述了利用LEC(液封直拉)法在InP体材料生长过程中影响成晶率的一些关键因素,如温度梯度和热对流等,分析了有利于晶体生长的条件,对加热器、保温系统和单晶炉系统参数配置等进行了有利于热场的优化。研究了放肩形状和固液界面的形状对晶体质量的影响,认为正方形的放肩和平坦但微凸向熔体的固液界面可以提高InP单晶的成晶率和质量。结果表明,能连续多次生长出大尺寸的InP体单晶,而且经过外延后制作的InP基器件的性能令人满意。

关键词： 磷化铟 液封直拉 孪晶直径 生长条件 热场结构

作者: 周晓龙 杨克武 杨瑞霞 孙聂枫 孙同年

作者单位: 河北工业大学信息工程学院,天津 300130 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051 河北工业大学信息工程学院,天津 300130 国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国半导体器件技术研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 123-125

在线出版日期: 2010-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）