半导体Si单晶方籽晶定向切割工艺

摘要：

在拉制半导体级Si单晶生产中,必须用晶向偏离度准确的籽晶来引拉晶体,方能获得所要求的单晶棒。简述了以”110”,”112”为基准面,定向切割(111),(100)晶向籽晶的工艺。该工艺克服了原工艺以(111)或(100)为基准面切割籽晶存在的晶向偏离度不能人为控制的主要问题。从而可获得晶向偏差小于0.5°的籽晶。

关键词： 晶向籽晶 定向切割工艺 半导体 硅单晶

作者: 刘京生

作者单位: 陕西华山半导体材料有限责任公司,西安 710065

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010年全国半导体器件技术研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 135-137

在线出版日期: 2010-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）