电子辐射对Bi3.15 Nd0.85 Ti3O12无铅铁电电容的影响
无铅铁电薄膜及器件因其优异性能在航空航天工业中有极大的应用价值。对于航天电子材料来说，由于空间环境的特殊性，必须考虑其抗辐射性能。本文研究了能量为1 MeV，剂量分别为5Mrad(Si)、10 Mrad(Si)电子辐射对采用溶胶-凝胶法和旋涂工艺制备的Bi3.15 Nd0.85 Ti3O12(BNT)无铅铁电电容性能的影响。用铁电分析仪对辐射前后的BNT薄膜进行了测试和分析，结果表明，辐射后薄膜的电滞回线稍有变化，剩余极化强度减少小于8％，漏电流略有减小，疲劳性能基本无变化。以上结果说明，BNT铁电电容抗总剂量辐射能力可达10 Mrad(Si)。
电子辐射 无铅铁电薄膜 BNT 电滞回线 漏电流 疲劳性能 航天电子材料
李玉姝 马颖 周益春
低维材料及其应用教育部重点实验室,湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭,411105
国内会议
北京
中文
165-172
2009-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）