湿法去光阻能力Vs.注入能量

摘要：

注入量超过5E14atoms/cm2能在光阻表面造成一个无定形碳似的损伤层(硬壳)，这很难被湿法化学品溶解。在湿法去胶中，没有或轻微损伤的光阻会很快的被溶解，硬壳就被底切和释放。那些直接接触硅的硬壳不能被底切，就必须被溶解。最多和最难去的硬壳区域通常靠近边缘球状物去除(EBR)的地方。这份工作用SPIM法计算模拟研究不同范围的注入条件包括剂量、能量和注入种类造成的硬壳的特性。也讨论了如何避免在边缘球状物区域形成硬壳。

关键词： 湿法去胶 光阻能力 注入能量

作者: K.K.Christenson

作者单位: FSI International，Chaska，MN 55318，USA

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年中国集成电路产业发展研讨会暨第10届中国半导体行业协会集成电路分会年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 43-46

在线出版日期: 2007-01-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）