硅衬底上AIN缓冲层质量对GaN质量的影响

摘要：

采用MOCVD设备对Si衬底上生长GaN进行了研究，通过AIN缓冲层与GaN质量对比研究，发现GaN的晶体质量对AIN缓冲甚的晶体质量有明显的依赖关系。GaN晶体质量随AIN缓冲层晶体质量改善面改善。通过优化生长条件，生长出了(002)晶面半蜂宽为477弧秒的GaN薄膜。

关键词： X射线衍射 原子力显微镜 缓冲层 氮化镓薄膜 晶体质量 有机金属化学气相沉积

作者: 张康 李述体 卢太平 尹以安 郑树文

作者单位: 华南师范大学光电子材料与技术研究所，广东广州，510630

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届中国国际半导体照明论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 57-60

在线出版日期: 2010-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）