利用InGaN做垒对LED多量子阱材料质量及光电性能影响

摘要：

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，在蓝宝石衬底上外廷生长以InGaN傲垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性。结果表明，材料界面的质量变化不大，但利用InGaN做垒光致发光的峰值强麦增强、峰位蓝移，样品中V坑的数目及相应的位错减少。对两种结构的LED进行电学测量得知。InGaN垒样品的droop现象得到极大的改善，这表明阱垒之间的应力失配减小，降低了由此产生的压电电场，弱化了电子的过冲，提高了量子效率。

关键词： 光致发光 量子效率 金属有机化合物气相沉积 蓝光发光二极管 多量子阱材料 光电性能

作者: 张宁 姬小丽 刘乃鑫 刘喆 王军喜

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心，北京海淀区清华东路甲35号，100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届中国国际半导体照明论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 65-67

在线出版日期: 2010-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）