GaN垂直结构LED提取效率的研究

摘要：

从GaN垂直结构LED有源区发出的光能量可划分为三部分。从LED表面逃逸出的光能量;被GaN外延体材料吸收的光能量;被电极吸收的光能量，第一部部分占总能量的比重就是LED的提取效率。通过设计翩作具有Ni、Ag反射镜电极以及有无表面粗化结构的垂直结构LED，我们研究了LED中的光能量在这三种机翩中的分配关系。实验结果表明：表面粗化结构和高反射P电极能大大地提高GaN垂直结构LED的提取效率;结合了表面粗化结构和高夏射率P电极两种优化设计对提取效率的作用高于两者单独作用之和。

关键词： 提取效率 表面粗化 反射镜 垂直结构 发光二极管 光能量

作者: 郭恩卿 刘志强 汪炼成 伊晓燕 王国宏

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 北京海淀区清华东路甲35号 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届中国国际半导体照明论坛

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 132-134

在线出版日期: 2010-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）