SiC衬底GaN蓝光LED性能分析
SiC衬底GaN LED外延薄膜比蓝宝石衬底的缺陷密麦低、晶体制量高,器件电流电压及电流波长特性更稳定。本文通过理论模拟分析7一定内倾角度形貌的SiC衬底LED器件光发射特性及不同衬底材料的LED内量子效率,并对实际两种材料的LED器件进行光电参数测试分析。在相同工作电流条件下,SiC衬底LED光输出功率明显高于蓝宝石衬底LED光输出功率,而电性能不受影响。
外延薄膜 蓝宝石衬底 发光二极管 光发射特性 内量子效率 光电参数测试
沈燕 王强 徐化勇 孙茂峰 王成新 李树强 徐现刚
山东浪潮华光光电子有限公司 济南 250101 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 250101
国内会议
深圳
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144-146
2010-10-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)