PSG膜中含磷量对晶体管放大倍数的影响

摘要：

该文研究了以低压化学气相淀积方法生长PSG表面钝化膜中磷的含量对磺向PNP管放大倍数的影响。给出了工艺的实验数据，得到一个为适用于集成电路中横向PNP管钝化膜的最佳工艺数据，在这种工艺条件下，得到PSG膜中含磷量为4Wt℅。

关键词： PSG膜 LPCVD 磷含量 放大倍数

作者: 叶绿 范伟宏

作者单位: 应用工程技术学院电机系 微电子有限公司(福州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 262～265

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）