抗激光损伤W:In2O3透明导电膜的制备和研究
利用激光脉冲沉积系统在石英晶片上制备了In1.97W0.03O3(IWO)透明导电膜，实验表明该薄膜表现为n型透明导电膜并沿着(222)择优取向具有较好的结晶性，在室温下该膜具有7.85×10-4 cm的电阻率并伴随有1.2×1020 cm-3的载流子浓度和66.3 cm2/V·s的载流子迁移率。在400 nm-2000 nm光波长范围内，IWO膜的平均光透射率大于85％。利用He-Ne激光散射法研究了IWO薄膜的损伤情况，并使用1-on-1法测定了该膜的激光损伤阈值。实验结果表明：在1064nm、15 ns脉冲激光辐照下，IWO薄膜表现为热烧蚀损伤，激光损伤阈值为2.2 J/cm2。对比于相同方法制备的具有相近电阻率的Sn:In2O3(ITO)膜，较低的载流子吸收和等离子共振吸收使得IWO膜的激光损伤阈值为ITO膜的2.4倍。
半导体薄膜 激光辐照 透明导电膜 液晶光学器件
王海峰 骆永全 李阳龙 赵祥杰 张大勇
中国工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳 621900
国内会议
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2010-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）