会议专题

高温热管晶体生长炉的温度控制

本文针对所研制的高温热管碲镉汞(MCT)晶体材料生长炉,结合改进的Bridgman晶体材料生长法(坩锅旋转法),介绍了一种温度控制系统,使该晶体生长炉的温度控制精度达到±0.4℃/500小时,相应升、降温速度为0.5~4℃/分钟可调,并且自动控制水平达到了Bridgman法生长MCT晶体材料的技术要求,生长出了合格的样品。

晶体生长炉 传热元件 高温热管 温度调控

虞斌 朱亚军 刘铁臣 涂善东

南京化工大学热管技术开发研究院 南京210009 航天工业总公司三院八三五八所 天津300192

国内会议

第七届全国热管会议

广东湛江

中文

169-172

2000-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)