化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验

摘要：

本文介绍了无催化剂辅助条件下,化学气相沉积法生长GaN纳米材料的形貌演化。通过调整衬底,NH3气流、生长时间等生长参数,实现了半导体GaN纳米线的合成以及形貌调控。用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征。获得了合成GaN纳米线最合适的条件。本实验可以作为综合设计性实验,在材料物理及相关专业高年级大学生的教学中应用。

关键词： 化学气相沉积法 GaN纳米材料 结构设计 形貌演化 实验教学

作者: 孙言飞 杨玮 简基康

作者单位: 新疆大学物理科学与技术学院,新疆 乌鲁木齐 830046

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国高等学校物理实验教学研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 469-473

在线出版日期: 2010-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）