金属氧化物气敏新材料的开发

摘要：

提出了开发n型金属氧化物气敏材料的理论,指出了禁带宽度Eg＞2eV的材料都有可能研制薄膜气敏元件,通过Fe2O3/2％CeO2,TiO2/2％CeO2薄膜元件试制成功,论证了理论的正确性;发展了复合材料的开发理论,对ZnSnO3的气敏特性进行了测试。

关键词： 金属氧化物 薄膜气敏元件 复合材料 禁带宽度

作者: 王玉青 孙宾 陆新城 牛秀粉 裘南畹

作者单位: 济南铁道职业技术学院,山东 济南 250104 济南半导体研究所,山东 济南 250014

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届中国湿度与水分学术交流会、第十一届中国气湿敏传感技术学术交流会、2010年国防科技工业热工流量技术交流会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 139-142

在线出版日期: 2010-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）