AlxZn1-xO合金光电探测器研究
在硅衬底上磁控溅射制备 AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得MSM结构光电探测器。AZO合金薄膜对紫外和可见光有高于80％的透过率,随Al含量增加,光学吸收带边呈蓝移趋势,且其电流与电压特性呈现出越来越明显的势垒效应,表明Al含量的增加引起AZO薄膜表面态的变化,从而改变了金半接触特性。当Al组分为30at％时,其电阻率达到最大值1.3×107Ωcm,这种样品制作的探测器在5V偏压下暗电流为14nA,在紫外光照射下光暗电流比达到10倍。比较Al组分为5at％,10at％,30at％的AZO样品,随Al含量增加对紫外光响应时间显著变小。器件的光谱响应测试表明Si基的Al0.3Zn0.7O探测器在紫外及可见光区都有明显响应。
光谱响应 光电探测器 电压特性 AZO合金薄膜
韦敏 李杰 邓雪然 邓宏
电子科技大学 微电子与固体电子学院,四川 成都 610054
国内会议
宁波
中文
157-160
2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）