反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨

摘要：

FPGA器件在武器和空间电子系统中应用越来越广泛，器件选择是实现系统抗辐射加固的有效方法之一因此，针对器件选择进行FPGA器件γ剂量率辐射效应规律研究具有重要意义。本文选用ACTEL公司的A1020B、A1460A和A42MX16三种反熔丝FPGA芯片进行γ剂量率辐照效应规律试验研究。三种反熔丝FPGA芯片分别为1.Oμm, 0.8μm和0.45μmCMOS工艺，均通过VHDL语言编程设计为数值延时电路工作模式进行辐照试验研究。

关键词： 集成电路 FPGA器件 辐射效应 电磁兼容

作者: 赵洪超 朱小锋 杜川华 袁国火

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳919信箱522分箱,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会2009年学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 46-47

在线出版日期: 2009-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）